[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 200980112430.X | 申请日: | 2009-06-05 |
公开(公告)号: | CN101990585A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;若森让治;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/24;H01L31/04 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 齐葵;王诚华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种成膜装置包括:成膜室(11),在真空中将希望的膜成膜在基板(W)上;放入取出室(13),经由第一开闭部(25)被固定于所述成膜室(11),并能将内部减压为真空气氛;第二开闭部(36),设置在所述放入取出室(13)的、与设置有所述第一开闭部(25)的面相反的面上;以及托架(21),以所述基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板(W),所述托架或所述基板(W)通过所述第二开闭部(36)被搬入、搬出所述放入取出室(13),在所述放入取出室(13)中并列配置多个所述托架(21),在所述放入取出室(13)与所述成膜室(11)之间所述多个托架(21)被并列地搬入或搬出,在所述成膜室(11)中对保持在所述多个托架(21)上的多个所述基板(W)同时进行成膜。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其特征在于,包括:成膜室,在真空中将希望的膜成膜在基板上;放入取出室,经由第一开闭部被固定于所述成膜室,并能将内部减压为真空气氛;第二开闭部,设置在所述放入取出室的、与设置有所述第一开闭部的面相反的面上;以及托架,以所述基板的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板,所述托架或所述基板通过所述第二开闭部被搬入、搬出所述放入取出室,在所述放入取出室中并列配置多个所述托架,在所述放入取出室与所述成膜室之间所述多个托架被并列地搬入、搬出,在所述成膜室中对保持在所述多个托架上的多个所述基板同时进行成膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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