[发明专利]嵌段共聚物组合物、其制备方法及薄膜有效

专利信息
申请号: 200980112539.3 申请日: 2009-03-30
公开(公告)号: CN101981121A 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 大石刚史;小田亮二 申请(专利权)人: 日本瑞翁株式会社
主分类号: C08L53/02 分类号: C08L53/02;C08J5/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 吴娟;李连涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 【课题】本发明提供高水平地兼具高弹性率和小永久伸长的含有芳族乙烯基-共轭二烯-芳族乙烯基嵌段共聚物而形成的嵌段共聚物组合物。【解决手段】本发明提供嵌段共聚物组合物,所述组合物是含有式(A)所表示的嵌段共聚物A和式(B)所表示的嵌段共聚物B而形成的嵌段共聚物组合物,其中嵌段共聚物A与嵌段共聚物B的重量比(A/B)为36/64~85/15,相对于嵌段共聚物组合物的全部聚合物成分,芳族乙烯基单体单元的比例为27~70重量%。在通式(A)和(B)中,Ar1a、Ar1b及Ar2b是Mw为6,000~18,000的芳族乙烯基聚合物嵌段,Ar2a是Mw为40,000~400,000的芳族乙烯基聚合物嵌段,Da和Db是乙烯基键含量为1~20%摩尔的共轭二烯聚合物嵌段,Db的Mw为60,000~400,000。Ar1a-Da-Ar2a(A)   Ar1b-Db-Ar2b(B)。
搜索关键词: 共聚物 组合 制备 方法 薄膜
【主权项】:
嵌段共聚物组合物,所述组合物是含有以下列通式(A)所表示的嵌段共聚物A和以下列通式(B)所表示的嵌段共聚物B而形成的,其中嵌段共聚物A与嵌段共聚物B的重量比(A/B)为36/64~85/15,相对于嵌段共聚物组合物的全部聚合物成分,芳族乙烯基单体单元所占的比例为27~70重量%:Ar1a‑Da‑Ar2a(A)Ar1b‑Db‑Ar2b(B)在通式(A)和(B)中,Ar1a、Ar1b及Ar2b分别是重均分子量为6,000~18,000的芳族乙烯基聚合物嵌段,Ar2a是重均分子量为40,000~400,000的芳族乙烯基聚合物嵌段,Da是乙烯基键含量为1~20%摩尔的共轭二烯聚合物嵌段,Db是乙烯基键含量为1~20%摩尔、重均分子量为60,000~400,000的共轭二烯聚合物嵌段。
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