[发明专利]包含用于高温量测的加热源反射滤光器的设备有效
申请号: | 200980112598.0 | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN101999161B | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;阿伦·M·亨特;布莱克·R·凯尔梅尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;王金宝 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了用于处理基板以及使用辐射高温计测量温度的方法与设备。在处理腔室的窗上具有反射层。辐射源能提供第一波长范围的辐射,所述辐射源加热所述基板,所述基板在预设温度范围中对于所述第一波长范围中的第二波长范围为透明。所述反射层反射所述第二波长范围中的辐射。 | ||
搜索关键词: | 包含 用于 高温 热源 反射 滤光 设备 | ||
【主权项】:
一种处理基板的系统,包含:热源,所述热源提供第一波长范围的辐射;高温计,所述高温计通过侦测在所述第一波长范围中的第二波长范围的辐射而测量基板的温度,所述基板位于腔室的处理区内;及窗,所述窗将所述热源与所述基板隔离,所述窗用对于所述第一波长范围的辐射为透明的材料制成,并且所述窗具有单一反射涂层,所述单一反射涂层覆盖在所述热源与所述基板之间的全部表面,所述全部表面仅选自所述窗朝向所述热源的一侧,所述反射涂层反射所述第二波长范围的辐射,其中所述窗有效地防止所述第二波长范围的辐射透射至所述高温计,并且其中所述第一波长范围为400‑4000nm,且所述第二波长范围为700‑1000nm,且其中具有所述反射涂层的所述窗有效防止所述热源所发出的所述第二波长范围的辐射透射温度低于400℃的基板,并且其中所述反射涂层在所述第二波长范围中的光反射对光透射的透射比的比值至少为1000。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980112598.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种通气鼻塞
- 下一篇:一种确定空间微波部件给定相位多载波微放电阈值的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造