[发明专利]用于薄层沉积的方法有效
| 申请号： | 200980112711.5 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101998937A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | A·迪朗多;A·卡尚科;N·纳多 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;C03C17/36;C03C17/245 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄念;林森 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于获得包含基材和至少一个在所述基材的第一面上沉积的基于至少部分结晶的二氧化钛的薄层的材料的方法，其中所述方法包括以下步骤：沉积所述至少一个基于二氧化钛的薄层；使所述至少一个基于二氧化钛的薄层经受结晶处理，其通过提供能够将所述至少一个基于二氧化钛的薄层的每个点提高到至少300℃的温度的能量，同时在与所述第一面相对的所述基材的面上的任一点维持低于或等于150℃的温度来进行，所述结晶处理之后是在所述基于二氧化钛的薄层的上方和/或下方沉积提供能量的层的步骤，所述提供能量的层能够比所述至少一个二氧化钛层更有效地吸收在所述结晶处理期间提供的能量和/或能够在所述结晶处理期间产生附加能量，在所述结晶处理期间将至少一部分所述能量传送到所述至少一个基于二氧化钛的薄层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄层 沉积 方法 | ||
【主权项】：
用于获得包含基材和至少一个在所述基材的第一面上沉积的基于至少部分结晶的二氧化钛的薄层的材料的方法，所述方法包括以下步骤：‑沉积所述至少一个基于二氧化钛的薄层；‑使所述至少一个基于二氧化钛的薄层经受结晶处理，其通过提供能够将所述至少一个基于二氧化钛的薄层的每个点提高到至少300℃的温度的能量同时在与所述第一面相对的所述基材的面的任一点维持低于或等于150℃的温度来进行，‑所述结晶处理之后是在所述基于二氧化钛的薄层的上方和/或下方沉积提供能量的层的步骤，所述提供能量的层能够比所述至少一个二氧化钛层更有效地吸收在所述结晶处理期间提供的能量和/或能够在所述结晶处理期间产生附加能量，并在所述结晶处理期间将至少一部分所述能量传送到所述至少一个基于二氧化钛的薄层。
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