[发明专利]薄膜太阳能电池制造装置有效
| 申请号： | 200980112754.3 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102017169A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 清水康男;小形英之;松本浩一;野口恭史;神保洋介;冈山智彦;森冈和;杉山哲康;重田贵司;栗原広行;桥本征典;若松贞次 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;C23C16/505;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 齐葵;王诚华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池制造装置，其特征在于，包括：成膜空间，以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元，具有施加有电压的阴极和两个以上的供电点，所述阴极配置在两侧；以及阳极，与配置在所述阴极单元的两侧的所述阴极隔开并对置地配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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