[发明专利]为小直径、高密度晶片贯通孔裸片堆叠形成对准/对心导引件的方法有效
| 申请号： | 200980112774.0 | 申请日： | 2009-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101999168A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 戴维·普拉特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L25/065;H01L21/98;H01L21/60;H01L29/06;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形成裸片堆叠的方法。所述方法包括在第一裸片中形成多个晶片贯通孔(105)和第一多个对准特征(104)。在第二裸片中形成第二多个对准特征(116)，且将所述第一裸片堆叠在所述第二裸片上，使得所述第一多个对准特征啮合所述第二多个对准特征。还提供一种制造裸片堆叠的方法，其包括：在第一裸片上形成多个晶片贯通孔；在第一裸片上形成多个凹座(104)；以及在第二裸片上形成多个突起(116)。还提供一种裸片堆叠和一种系统。 | ||
| 搜索关键词： | 直径 高密度 晶片 贯通 孔裸片 堆叠 形成 对准 对心 导引 方法 | ||
【主权项】：
一种形成裸片堆叠的方法，其包含：在第一裸片中形成多个晶片贯通孔；以及在第一裸片中形成一个或一个以上对准特征。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980112774.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
