[发明专利]低漏电流和/或低导通电压的肖特基二极管有效
| 申请号： | 200980112917.8 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101999163A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吉扬·永;马蒂·E·加内特 | 申请（专利权）人： | 美国芯源系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 披露了一种肖特基二极管及其制造方法。所述肖特基二极管具有N阱或者N型外延层，所述N阱或者N型外延层具有第一区域，实质上与电子掺杂埋层相邻且具有比第一区域更高的施主电子浓度的第二区域，和实质上与阳极相邻且具有比第一区域更低的施主电子浓度的第三区域。第二区域可以掺杂注入的磷且第三区域可以掺杂注入的硼。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 通电 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括：电子施主掺杂埋层；阳极；阴极；和N阱或N型外延层，所述N阱或N型外延层包括：第一区域，所述第一区域具有施主电子浓度；第二区域，所述第二区域实质上与电子施主掺杂埋层相邻且具有比第一区域更高的施主电子浓度，其中第二区域包括注入的磷施主电子；和第三区域，所述第三区域实质上与阳极相邻且具有比第一区域更低的施主电子浓度，其中第三区域包括硼。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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