[发明专利]改良式击穿电压的边缘端点有效
| 申请号： | 200980113106.X | 申请日： | 2009-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102318045A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 曾军;穆罕默德·恩·达维希;苏世宗 | 申请（专利权）人： | 马克斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在边缘端点区域上具有低表面电场的金属氧化物半导体场效晶体管开关，其还具有提高的击穿电压。该金属氧化物半导体场效晶体管开关具有利用N-P-N夹层结构的新式边缘端点结构。该金属氧化物半导体场效晶体管开关还具有多晶硅场板构造以增强在该N-P-N夹层结构中主要的PN结边缘上的任何耗尽层的任何扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 击穿 电压 边缘 端点 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一个或多个活跃装置区段；一边缘端点结构，其围绕一个或多个该活跃装置区段；以及多个沟槽场板，其连续围绕该边缘端点以及彼此围绕；其中该场板之一嵌埋在各自沟槽内，并且其中各自浓度的一补偿掺杂物位于该沟槽之下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马克斯半导体股份有限公司，未经马克斯半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980113106.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
