[发明专利]隔离的互补金属氧化物半导体晶体管和双极晶体管、用于隔离的隔离结构及其制造方法

摘要

形成在半导体衬底中的隔离的晶体管包括埋设的底隔离区域和填充沟槽，该填充沟槽从衬底的表面向下延伸到底隔离区域。底隔离区域与填充沟槽一起形成衬底的隔离袋。在替代的实施例中，掺杂的侧壁区域从沟槽的底部向下延伸到底隔离区域。衬底不包含外延层，从而克服了与制造外延层有关的许多问题。

主权项

一种隔离的CMOS晶体管，形成在第一导电类型的半导体衬底中，该衬底不包括外延层，所述隔离的CMOS的成对晶体管包括：与所述第一导电类型相反的第二导电类型的底隔离区域，埋设在所述衬底中；和第一填充沟槽，从所述衬底的表面至少向下延伸到所述底隔离区域，所述第一填充沟槽包括电介质材料，其中所述底隔离区域和所述第一填充沟槽一起围成所述衬底的隔离袋，该隔离袋包括N型阱和P型阱，该N型阱包括P沟道MOSFET，该P型阱包括N沟道MOSFET。