[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200980113300.8 | 申请日： | 2009-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102007596A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 玉祖秀人 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOSFET(1)，其能够实现减少制造工艺的步骤数目以及提高集成度，其包括：SiC晶片(10)，其由碳化硅构成；以及源接触电极(16)，其被布置成与SiC晶片(10)接触并且包含钛、铝、硅和碳以及其余不可避免的杂质。SiC晶片(10)包括具有n型导电类型的n+源区(14)以及具有p型导电类型的p+区(18)。n+源区(14)和p+区(18)都与源接触电极(16)接触。源接触电极(16)在包括与SiC晶片(10)的交界面的区域中包含铝和钛。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(1，3)，包括：SiC晶片(10，30)，所述SiC晶片由碳化硅构成；以及欧姆接触电极(16，39，41，42，44)，所述欧姆接触电极被布置成与所述SiC晶片(10，30)相接触并且包含钛、铝、硅和碳以及其余不可避免的杂质，所述SiC晶片(10，30)包括：具有n型导电类型的n型区(14，35，37)，以及具有p型导电类型的p型区(18，36，43)，所述n型区(14，35，37)和所述p型区(18，36，43)中的每个与所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)相接触，以及在包括与所述SiC晶片(10，30)的交界面的区域中，所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)包含铝和钛。
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