[发明专利]基板载置台的降温方法、计算机可读取的存储介质和基板处理系统有效
申请号: | 200980113330.9 | 申请日: | 2009-09-14 |
公开(公告)号: | CN102007588A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 小林贤一;仲山阳一;甲斐亘三;白坂贤治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 基板载置台的降温方法使用基板(W)处理系统,该系统包括:第一基板载置台(2b);一个以上的处理室(1b),其在内部设置有第一基板载置台(2b),在第一基板载置台(2b)上载置有基板(W)的状态下进行规定的处理;向处理室(1b)搬送基板(W)的基板搬送装置(31);在内部设置有基板搬送装置(31)的搬送室;和用于冷却基板(W)的第二基板载置台(6a)。基板载置台的降温方法包括:利用基板搬送装置(31)将载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)向第二基板载置台(6a)搬送的第一移载工序;和利用基板搬送装置(31)将载置在第二基板载置台(6a)上的基板(W)向第一基板载置台(2b)搬送的第二移载工序。通过反复进行第一移载工序和第二移载工序,利用载置在第一基板载置台(2b)上的基板(W)吸收第一基板载置台(2b)的热,由此使第一基板载置台(2b)降温。 | ||
搜索关键词: | 基板载置台 降温 方法 计算机 读取 存储 介质 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种基板载置台的降温方法,其使用具有如下构成的基板处理系统,该基板处理系统包括:设有用于加热基板的加热机构的第一基板载置台;一个以上的处理室,其在内部设置有该第一基板载置台,在该第一基板载置台上载置有该基板的状态下进行规定的处理;向该处理室搬送该基板的基板搬送装置;在内部设置该基板搬送装置的搬送室;和用于冷却该基板的第二基板载置台,所述基板载置台的降温方法的特征在于,包括:利用所述基板搬送装置将载置在所述第一基板载置台上的所述基板向所述第二基板载置台搬送的第一移载工序;和利用所述基板搬送装置将载置在所述第二基板载置台上的所述基板向所述第一基板载置台搬送的第二移载工序,通过反复进行所述第一移载工序和所述第二移载工序,利用载置在所述第一基板载置台上的所述基板吸收该第一基板载置台的热,使该第一基板载置台降温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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