[发明专利]分析用于光刻的掩膜板的方法有效
申请号: | 200980113449.6 | 申请日: | 2009-04-09 |
公开(公告)号: | CN102007454A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 乌尔里克·斯特罗斯纳;托马斯·谢鲁布尔 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMS有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种分析用于光刻的掩膜板的方法。在此方法中,用于第一焦点设置的掩膜板的空间图像被产生并存储在空间图像数据记录中。空间图像数据记录被转移到基于此数据模拟光刻晶片曝光的算法。在此情况下,对多个互不相同的能量剂量执行模拟。然后,在离晶片表面的预定高度处,分别确定将具有光刻胶的区域与不具有光刻胶的区域分开的轮廓线。分别对于每个能量剂量,将结果(即,轮廓线)存储在具有能量剂量作为参数的轮廓线数据记录中。最后,组合轮廓线数据记录以形成具有能量剂量的倒数作为第三维的三维多轮廓线数据记录,并且,基于轮廓线中从零到非零值的转变,产生依赖于掩膜板上的位置的能量剂量的倒数的三维形貌。输出或存储或自动的评价此形貌(所谓的有效空间图像)。也可对穿过所述形貌的截面进行相同的处理。 | ||
搜索关键词: | 分析 用于 光刻 掩膜板 方法 | ||
【主权项】:
一种分析用于光刻的掩膜板的方法,其中用于第一焦点设置的掩膜板的空间图像被产生并存储到第一空间图像数据记录中,所述空间图像数据记录被转移到模拟光刻晶片曝光的算法,其中,对至少两个互不相同的能量剂量,基于所述空间图像数据记录模拟每种情况下施加到晶片的表面的光刻胶层的曝光和显影,在离所述晶片表面的预定高度处,确定每种情况下将具有光刻胶的区域与不具有光刻胶的区域分开的轮廓线,并且,在每种情况下,对每个所述能量剂量,将结果存储为以所述能量剂量作为参数的二维轮廓线数据记录,组合所述轮廓线数据记录以形成以所述能量剂量或所述能量剂量的函数作为第三维度的三维多轮廓线数据记录,基于所述多轮廓线数据记录中的轮廓线从零到非零的值的转变,产生依赖于所述掩膜板上的位置的所述能量剂量或所述能量剂量的函数的三维第一形貌,并且,所述形貌和/或穿过所述形貌的截面被输出和/或存储到形貌数据记录中,并/或被自动评价。
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