[发明专利]特别用于应变或应力硅材料的刻蚀组合物、表征这种材料表面上的缺陷的方法，和用刻蚀组合物处理这种表面的工艺有效
| 申请号： | 200980113811.X | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102007394A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | A·达巴迪;B·科尔贝森;J·梅尔里斯 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适于处理各种含硅表面，包括在绝缘体表面上的应变硅以及应力硅表面的无铬刻蚀组合物。本发明的新型和独创的刻蚀组合物包含氢氟酸、硝酸、乙酸和优选为碘化钾的碱金属碘化物。 | ||
| 搜索关键词： | 特别 用于 应变 应力 材料 刻蚀 组合 表征 这种 表面上 缺陷 方法 处理 表面 工艺 | ||
【主权项】：
一种刻蚀组合物，优选为溶液，其包含HF、HNO3、乙酸和优选为碘化钾的碱金属碘化物，其中所述碱金属碘化物的量为1毫摩尔/100毫升以上。
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