[发明专利]成膜方法和成膜装置无效
| 申请号： | 200980114151.7 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102016106A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 小林洋介;林信博;饭岛正行;多田勋 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/12;C23C14/58;G02B5/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够简化装置构成和降低成本的反射膜形成技术。本发明的成膜方法具有：一边将空气导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工序(P2)；在该反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序(P3)；和一边将空气导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲水化处理工序(P5)。根据本发明，可以不使用氩气而进行反射膜的形成以及聚合物膜的亲水化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
成膜方法，其具有：一边将含有氧的处理气体导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工序；在前述反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序；和一边将含有氧的处理气体导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲水化处理工序。
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