[发明专利]无损检测半导体材料内部缺陷的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200980114435.6 申请日: 2009-04-22
公开(公告)号: CN102016563A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 克劳斯·克莱玛 申请(专利权)人: 克莱玛博士声显微术研究所有限公司
主分类号: G01N29/04 分类号: G01N29/04;G01N29/22;G01N29/265;G01N29/27
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 公开了一种无损检测半导体材料(2)的内部缺陷的设备和方法。半导体材料(2)具有长度(L)、横截面区(Q)以及与所述长度(L)对齐的侧面(5)。超声波设备(10)被分配到所述半导体材料(2)。此外,设置在所述超声波设备(10)和半导体材料(2)的侧面(5)之间产生沿着半导体材料(2)的侧面(5)的长度(L)的相对运动的机构(9)。
搜索关键词: 无损 检测 半导体材料 内部 缺陷 方法 设备
【主权项】:
一种用于无损检测半导体材料(2)的内部缺陷的方法,所述半导体材料(2)具有长度(L)以及横截面区(Q),所述方法的特征在于以下步骤:设置超声波设备(10),其中,在所述超声波设备(10)和所述半导体材料(2)的侧面(5)之间产生相对运动,沿着所述半导体材料(2)的长度(L)移动所述超声波设备(10);在所述半导体材料(2)和所述超声波设备(10)之间的所述相对运动期间,从所述超声波设备(10)向所述半导体材料(2)发射超声波脉冲,与此并行地,记录与时间和空间有关的来自所述半导体材料(2)内部的对所述超声波脉冲的超声波回波信号,使得从整块所述半导体材料(2)捕获所述半导体材料(2)的内部缺陷;在所述半导体材料(2)为圆柱状的情况下,在所述超声波设备(10)沿着所述半导体材料(2)的长度(L)移动期间,捕获直到所述半导体材料(2)的中心(M)的至少一个扇形区,或者在所述半导体材料(2)为长方体状的情况下,在所述超声波设备(10)沿着所述半导体材料(2)的第一外表面的长度(L)移动期间,捕获直到所述半导体材料(2)的中央面(3)的至少一个长方体(31);以及通过介质(8)将所述超声波脉冲耦合到所述半导体材料(2)以及通过所述介质(8)耦合来自所述半导体材料(2)的所述超声波回波信号。
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