[发明专利]介电膜、介电膜的生产方法、半导体装置和记录介质有效
| 申请号： | 200980114912.9 | 申请日： | 2009-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102224578A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 中川隆史;北野尚武;辰巳彻 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/822;H01L21/8247;H01L27/04;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开的是一种具有高介电常数和高温耐热性的介电膜。在一个实施方案中的介电膜(103)包括含有元素A、元素B以及含有N和O的复合氮氧化物，元素A由Hf构成，元素B由Al或Si构成，该介电膜(103)中元素A、元素B和N的摩尔分数根据B/(A+B+N)为0.015至0.095以及根据N/(A+B+N)为0.045以上，该介电膜(103)具有结晶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 介电膜 生产 方法 半导体 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种介电膜，其包括含有元素A、元素B以及N和O的复合氮氧化物，所述元素A为Hf，所述元素B为Al或Si，其中，表示为B/(A+B+N)的所述元素A、所述元素B和N的摩尔分数范围为0.015至0.095，表示为N/(A+B+N)的所述元素A、所述元素B和N的摩尔分数为0.045以上，并且所述介电膜具有结晶结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
