[发明专利]浮式片材制造装置及方法有效
| 申请号： | 200980114977.3 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102017178A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 彼德·L·凯勒曼;法兰克·辛克莱 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种片材制造装置，包括一容器，其定义出一通道以容纳一熔体。熔体会从通道的一第一位置流至一第二位置。一冷却板邻近熔体，用以在熔体上形成一片材。一溢流道配置于通道的第二位置。溢流道用以将片材从熔体分离。 | ||
| 搜索关键词： | 浮式片材 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种片材制造装置，包括：一容器，定义出一通道以容纳一材料的一熔体，该熔体会从该通道的一第一位置流至一第二位置；一冷却板，邻近该熔体，该冷却板用以在该熔体上形成该材料的一片材；以及一溢流道，配置于该通道的该第二位置，该溢流道用以将该片材从该熔体分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
