[发明专利]高纯度铜以及通过电解制造高纯度铜的方法有效
| 申请号： | 200980115015.X | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102016088A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗;岛本晋;福岛笃志 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C25C1/12;C25C7/06;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/05;C22C9/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度铜，纯度为6N以上，其特征在于，P、S、O和C各成分的含量分别为1ppm以下，该铜或铜合金中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下。本发明的课题也在于，使用使有害的P、S、C、O基夹杂物减少的高纯度铜及高纯度铜合金作为原料，并且控制非金属夹杂物的存在形态，由此可以减少焊线断裂的产生和提高机械强度的再现性、或者可以再现性良好地减少对高纯度铜靶进行溅射而形成的半导体器件布线的不合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 以及 通过 电解 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度铜，纯度为6N以上，其特征在于，P、S、O和C各成分的含量分别为1ppm以下，该铜中含有的粒径0.5μm以上且20μm以下的非金属夹杂物为10000个/g以下。
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