[发明专利]太阳能电池中合并植入的使用有效
| 申请号： | 200980115537.X | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102047390A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 尼可拉斯·P·T·贝特曼;保罗·J·墨菲;保罗·沙利文;阿塔尔·古普塔 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 合并 植入 使用 | ||
【主权项】：
一种使用衬底制造太阳能电池的方法，包括：产生一真空，其中该衬底在该真空中受到植入；使用一第一种类于该衬底的一第一表面进行一第一离子植入；导入一掩膜图案用以覆盖该衬底的该第一表面的一部分；以及使用一第二种类于该表面进行一第二离子植入，而该第二种类只有植入于该衬底的该第一表面的一未覆盖部分，其中该第一离子植入和该第二离子植入是在未破真空的情况下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
