[发明专利]溅射用氧化物烧结体靶及其制造方法有效
| 申请号： | 200980115641.9 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102016112A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 长田幸三;大塚洋明 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射用氧化物烧结体靶，包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)以及不可避免的杂质，其特征在于，各元素的组成比为式：InxGayZnzOa{式中，0.2≤x/(x+y)≤0.8，0.1≤z/(x+y+z)≤0.5，a＝(3/2)x+(3/2)y+z}，该氧化物烧结体靶的90μm×90μm面积范围内存在的平均粒径3μm以上的ZnGa2O4的尖晶石相的个数为10个以下。本发明的目的在于提供IGZO靶，其中在包含In、Ga、Zn、O以及不可避免的杂质的溅射用氧化物烧结体靶中，改善了烧结体靶的组织，将作为结瘤产生源的相的形成抑制为最小限度，并且降低体电阻值，高密度，可以抑制异常放电，并且可以进行DC溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 氧化物 烧结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射用氧化物烧结体靶，其包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)以及不可避免的杂质，其特征在于，各元素的组成比为式：InxGayZnzOa{式中，0.2≤x/(x+y)≤0.8，0.1≤z/(x+y+z)≤0.5，a＝(3/2)x+(3/2)y+z}，该氧化物烧结体靶的90μm×90μm面积范围内存在的平均粒径3μm以上的ZnGa2O4的尖晶石相的个数为10个以下。
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