[发明专利]制造纯净或掺杂的半导体材料的非负载的制品的方法有效
| 申请号： | 200980115726.7 | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102037546A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | G·B·库克;P·马宗达;K·K·索尼;B·苏曼;C·S·托马斯;N·文卡特拉马 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;C30B15/00;C30B28/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生;周承泽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制造半导体材料的制品的方法，以及由此形成的半导体材料制品，例如可用于制造光伏电池的半导体材料制品。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纯净 掺杂 半导体材料 负载 制品 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体材料的非负载的制品的方法，该方法包括：提供温度为T模的模具；提供温度为TS的熔融半导体材料，其中TS＞T模；用颗粒涂覆模具的外表面；将模具浸入熔融半导体材料中足够长的时间，在模具的外表面上形成半导体材料的固体层；从熔融半导体材料中取出带有半导体材料固体层的模具；从模具分离半导体材料固体层，形成半导体材料的非负载的制品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
