[发明专利]接合结构以及电子器件有效
| 申请号： | 200980115918.8 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102017107A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 古泽彰男;酒谷茂昭;中村太一;松尾隆广 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B23K1/00;B23K1/19;B23K35/26;C22C12/00;H05K3/34;B23K101/40 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 吕静姝;杨暄 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的接合结构，对构成电子器件的电子元件(12)和构成该电子器件的电极(14)进行接合。接合结构包括：钎焊层，其含有0.2～6重量％的铜、0.02～0.2重量％的锗、以及93.8～99.78重量％的铋；设置在钎焊层和电极之间的镍层；设置在镍层和钎焊层之间的阻挡层。在此，通过钎焊层接合电子元件和电极之后，阻挡层的平均厚度为0.5～4.5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 结构 以及 电子器件 | ||
【主权项】：
一种接合结构，其对构成电子器件的电子元件和构成所述电子器件的电极进行接合，其特征在于，包括：对所述电子元件和所述电极进行接合的钎焊层，该钎焊层含有0.2～6重量％的铜、0.02～0.2重量％的锗、以及93.8～99.78重量％的铋；设置在所述钎焊层和所述电极以及所述电子元件中的至少一方之间的镍层；设置在所述镍层和所述钎焊层之间的阻挡层，通过所述钎焊层接合所述电子元件和所述电极之后，所述阻挡层的平均厚度为0.5～4.5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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