[发明专利]具有经共轴馈送的共轴射频馈给与多区交流加热器电源输送的等离子体反应器静电卡盘无效
申请号: | 200980116023.6 | 申请日: | 2009-05-04 |
公开(公告)号: | CN102017123A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 迈克尔·D·威尔沃思;戴维·帕拉加什维里;布赖恩·K·哈彻;亚历山大·M·帕特森;道格拉斯·A·小布赫伯格 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H05H1/34;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;王金宝 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种工件支撑座包括:具有工件支撑表面的绝缘盘;位于所述所述绝缘盘下方的导电板,绝缘盘包含多个电机构以及多个热传媒通道;以及位于所述导电板下方的轴向移位共轴射频路径组件。此共轴射频路径组件包括:中心导体、接地的外侧导体以及隔离所述中心导体与所述外侧导体的管状绝缘体,由此所述绝缘盘、所述板以及所述共轴射频路径组件组成可动组件,而所述可动组件的轴向移动是由举升伺服机构控制。多个导管轴向地延伸经过所述中心导体,且耦接至所述热传媒机构。多个电导体轴向地延伸经过所述管状绝缘体,且连接至所述电机构。 | ||
搜索关键词: | 具有 经共轴 馈送 射频 给与 交流 加热器 电源 输送 等离子体 反应器 静电 卡盘 | ||
【主权项】:
一种用于等离子体反应腔室内的工件支撑座,包括:(A)绝缘盘,具有工件支撑表面;(B)导电板,位于所述绝缘盘下方,所述绝缘盘包含多个电机构以及多个热传媒通道;(C)轴向移位共轴射频路径组件,位于所述导电板下方,且包括中心导体、接地的外侧导体以及隔离该中心导体与该外侧导体的管状绝缘体,由此所述绝缘盘、所述板以及所述共轴射频路径组件组成可动组件;(D)举升伺服机构,耦接至所述共轴组件以进行轴向移位;(F)多个导管,轴向地延伸通过所述中心导体并耦接至所述热传媒机构;(G)多个电导体,轴向地延伸通过所述管状绝缘体且连接至所述电机构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980116023.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:浮力动力机
- 下一篇:改善在介电层和导电层间的黏着力与电致迁移性的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造