[发明专利]高温超导体-层配置体有效
申请号: | 200980116239.2 | 申请日: | 2009-03-14 |
公开(公告)号: | CN102017207A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | M·巴克尔;O·布伦卡尔;M·法尔特 | 申请(专利权)人: | 全能智电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L39/24 | 分类号: | H01L39/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 邓毅 |
地址: | 德国莱*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及高温超导体-层配置体,其包括载体材料和由氧化材料构成的织构化缓冲层。根据本发明所述缓冲层含有至少一种形成均匀混合晶相的其它成分,该其它成分为第一副族过渡金属和/或该其它成分在退火温度≤1600摄氏度时与所述氧化缓冲材料至少形成部分熔体。所述其它成分可以尤其为铜和/或银。 | ||
搜索关键词: | 高温 超导体 配置 | ||
【主权项】:
高温超导体‑层配置体,其包括至少一种载体材料和由氧化材料构成的织构化缓冲层,该缓冲层使得高温超导体(HTSL)层的织构化生长成为可能,其特征在于,所述缓冲层含有至少一种形成均匀混合晶相的其它成分,该其它成分为(a)第一副族过渡金属(包括氧化物形式)和/或为(b)金属或金属氧化物,该金属或金属氧化物在退火温度≤1600摄氏度时与所述氧化缓冲材料至少形成部分熔体。
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