[发明专利]碎片撷取排出系统无效
| 申请号： | 200980116308.X | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN102017067A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 本杰明·约翰斯顿;栗田真一 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;王金宝 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 碎片撷取的系统及方法，藉由供给气流特征结构而降低工作件(104)上的举升力。供给气流特征结构可藉由具有围绕内排气管(120)的外供给管(122)的撷取喷嘴(116)而实施。藉由使用限制流向工作件(104)的有效激光切割区的排气气流的多个撷取喷嘴(116)还可实现更小的举升力。 | ||
| 搜索关键词： | 碎片 撷取 排出 系统 | ||
【主权项】：
一种碎片撷取排出系统，包括：撷取喷嘴，包含至少一个碎片撷取口，且每一该碎片撷取口设置成邻接工作件的有效区，以及排气源，用以经由每一该碎片撷取口撷取排气气流以及来自所述有效区的碎片，其中，对每一所述碎片撷取口，所述撷取喷嘴包括：第一管，其耦接于所述碎片撷取口，以及第二管，其耦接于所述碎片撷取口，所述第二管设置成朝所述有效区输送供给气流，且所述第一管设置成移除排气气流以及来自所述有效区的碎片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980116308.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
