[发明专利]预处理金属氟化物及氟化物晶体的制造方法无效
| 申请号： | 200980116804.5 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102026914A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 石津澄人;关屋章;福田健太郎;须山敏尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C01B9/08 | 分类号： | C01B9/08;C30B15/00;C30B15/08;C30B29/12;G02B1/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种氧气杂质的含量得到降低的预处理金属氟化物、以及氧气杂质的含量得到降低且具有透明性等优异的光学特性的氟化物晶体的制造方法。在碳酰氟共存的条件下、优选碳酰氟的量相对于1mol金属氟化物为1/100mol以上，在300K以上且1780K以下的温度范围内对金属氟化物进行加热，除去金属氟化物原料、制造炉内部等中所含的氧气、水分等，从而得到预处理金属氟化物。此外，以该预处理金属氟化物作为原料进行加热熔融，从所得的熔体通过熔体提拉法或熔体下拉法等晶体生长法获得高品质的氟化物晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 预处理 金属 氟化物 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种预处理金属氟化物的制造方法，其特征在于，在碳酰氟的共存下对金属氟化物进行加热。
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