[发明专利]测试具有易受由偏置温度不稳定性所造成的阈值电压偏移影响的场效应晶体管的存储器装置有效
| 申请号： | 200980116836.5 | 申请日： | 2009-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102027549A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈南;善-义·肖恩·李;金圣克;王忠泽 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/10 | 分类号： | G11C29/10;G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 将用于存储器装置的供应电压设定于第一供应电压电平。响应于设定所述供应电压在所述第一供应电压电平下将测试数据写入到所述存储器装置。响应于写入所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压减小到在所述第一供应电压电平以下的第二供应电压电平。响应于减小所述供应电压在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据。响应于读取所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压增加到在所述第二供应电压电平以上的第三供应电压电平。响应于增加所述供应电压在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据。响应于在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据，将在所述第一供应电压电平下写入到所述存储器装置的所述测试数据与在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取的所述测试数据进行比较。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 具有 偏置 温度 不稳定性 造成 阈值 电压 偏移 影响 场效应 晶体管 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种用于测试存储器装置的方法，其包含：将用于所述存储器装置的供应电压设定于第一供应电压电平；响应于设定所述供应电压在所述第一供应电压电平下将测试数据写入到所述存储器装置；响应于写入所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压减小到在所述第一供应电压电平以下的第二供应电压电平；响应于减小所述供应电压在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据；响应于读取所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压增加到在所述第二供应电压电平以上的第三供应电压电平；响应于增加所述供应电压在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据；以及响应于在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据，将在所述第一供应电压电平下写入到所述存储器装置的所述测试数据与在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取的所述测试数据进行比较。
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