[发明专利]电路模块及其制造方法有效
申请号: | 200980117248.3 | 申请日: | 2009-05-11 |
公开(公告)号: | CN102027585A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | P·帕姆;R·图奥米宁;A·伊赫拉 | 申请(专利权)人: | 伊姆贝拉电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/538 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 一种电路模块及其制造方法,包括:绝缘层(1);位于绝缘层(1)内部的至少一个元件(6),其包括接触区域(7),接触区域的材料包括第一金属。导体(22)位于绝缘层(1)的表面上,其包括至少第一层(12)和第二层(32),方式是至少第二层(32)包括第二金属。电路模块包括在接触区域(7)和导体(22)之间形成电接触的接触部件,该接触部件本身包括位于接触区域(7)的材料的表面上的中间层(2),中间层包括第三金属,其中第一、第二和第三金属是不同的金属,并且中间层(2)和接触区域(7)之间的接触表面面积(ACONT1)小于接触区域(7)的表面面积(APAD)。 | ||
搜索关键词: | 电路 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用来制造电路模块的方法,该方法包括:采用导体薄片(12),在导体薄片(12)中制造接触开口(8),用来制造接触部件,采用包括接触区域(7)的元件(6),接触区域的材料包括第一金属,通过聚合体层(25)将元件(6)接附到导体薄片(12),制造围绕接附到导体薄片(12)的元件(6)的绝缘层(1),以每个接触孔(18,28)和对应接触区域(7)之间的接触表面面积(ACONT1)小于接触区域(7)的表面面积(APAD)的方式,在接触区域(7)的位置处的聚合体层(25)中制造接触孔(18,28),并且至少在接触孔(18、28)中的接触区域(7)的表面上生长中间层(2),中间层(2)包括至少第三金属,并且生长第二金属的层(32),该层(32)和中间层(2)的表面相接触,并且沿着制成的导体(22)延伸,并且通过图案化导体薄片(12)形成导体(22),并且如果需要还图案化导体薄片(12)表面上的中间层(2)和/或第二金属的层(32)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造