[发明专利]用于自旋转移矩磁阻随机存取存储器的焊盘设计无效
| 申请号： | 200980117695.9 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102027595A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 威廉·夏;升·H·康 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于一自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)位单元阵列的具有减小的电容负载的焊盘。所述焊盘包括：多个中空形下部金属层；及一平面顶部金属层，其形成于所述多个中空形下部金属层的一最上层上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 转移 磁阻 随机存取存储器 设计 | ||
【主权项】：
一种用于自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)位单元的低载焊盘，所述低载焊盘包含：多个中空形下部金属层；以及一顶部金属层，其形成于所述多个中空形下部金属层的最上层上。
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