[发明专利]存储器单元、存储器单元构造及存储器单元编程方法有效
| 申请号： | 200980118161.8 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102037561A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 钱德拉·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包含存储器单元，所述存储器单元包含存储器组件，所述存储器组件具有：第一导电材料；第二导电材料；及氧化物材料，其位于所述第一导电材料与所述第二导电材料之间。所述存储器组件的电阻可经由从所述第一导电材料穿过所述氧化物材料传导到所述第二导电材料的电流来配置。其它实施例包含包括金属及电介质材料的二极管以及与所述二极管串联连接的存储器组件。所述存储器组件包含磁阻材料且具有可经由经传导穿过所述二极管及所述磁阻材料的电流改变的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 构造 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，其包括：存储器组件，其包括：第一导电材料；第二导电材料；及氧化物材料，其位于所述第一导电材料与所述第二导电材料之间；且其中所述存储器组件的电阻可经由从所述第一导电材料穿过所述氧化物材料传导到所述第二导电材料的电流来配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
