[发明专利]薄膜电池及其制造方法无效
申请号: | 200980118251.7 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN102037586A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 郭秉圣;迈克尔·斯托厄尔;尼蒂·克里希纳 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;H01M4/48;H01M4/58;C23C14/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用以制造薄膜电池的膜层的方法,该方法至少包含以下步骤:提供溅射靶材并于基板上沉积该层,上述沉积是利用结合等离子体工艺的增强式物理汽相沉积工艺。上述沉积工艺可包含:(1)在靶材与基板之间产生等离子体;(2)溅射靶材;(3)供应微波能量给该等离子体;以及(4)施加射频功率给该基板。用于薄膜电池阴极层的溅射靶材的平均组成为LiMaNbZc,其中0.20>{b/(a+b)}>0且a与c的比例约等于阴极层的理想结晶结构的化学计量比,N为碱土族元素、M选自由钴(Co)、锰(Mn)、铝(Al)、镍(Ni)与钒(V)所组成的群组,且Z选自由(PO4)、O、F与N所组成的群组。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造薄膜电池阴极层的方法,包含以下步骤:提供溅射靶材,其平均组成为LiMaNbZc,其中0.20>{b/(a+b)}>0,且a与c的比例约等于该阴极层的理想结晶结构的化学计量比,N为碱土族元素,M选自由Co、Mn、Al、Ni与V组成的群组,Z选自由(PO4)、O、F与N组成的群组;以及利用等离子体增强式物理汽相沉积工艺以沉积该阴极层于基板上。
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