[发明专利]薄膜电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200980118251.7 申请日: 2009-05-20
公开(公告)号: CN102037586A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 郭秉圣;迈克尔·斯托厄尔;尼蒂·克里希纳 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M4/48;H01M4/58;C23C14/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;钟强
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用以制造薄膜电池的膜层的方法,该方法至少包含以下步骤:提供溅射靶材并于基板上沉积该层,上述沉积是利用结合等离子体工艺的增强式物理汽相沉积工艺。上述沉积工艺可包含:(1)在靶材与基板之间产生等离子体;(2)溅射靶材;(3)供应微波能量给该等离子体;以及(4)施加射频功率给该基板。用于薄膜电池阴极层的溅射靶材的平均组成为LiMaNbZc,其中0.20>{b/(a+b)}>0且a与c的比例约等于阴极层的理想结晶结构的化学计量比,N为碱土族元素、M选自由钴(Co)、锰(Mn)、铝(Al)、镍(Ni)与钒(V)所组成的群组,且Z选自由(PO4)、O、F与N所组成的群组。
搜索关键词: 薄膜 电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造薄膜电池阴极层的方法,包含以下步骤:提供溅射靶材,其平均组成为LiMaNbZc,其中0.20>{b/(a+b)}>0,且a与c的比例约等于该阴极层的理想结晶结构的化学计量比,N为碱土族元素,M选自由Co、Mn、Al、Ni与V组成的群组,Z选自由(PO4)、O、F与N组成的群组;以及利用等离子体增强式物理汽相沉积工艺以沉积该阴极层于基板上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980118251.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top