[发明专利]半导体结构

摘要

在优选实施例中，本发明提供了半导体结构，其具有半导体支撑件、置于支撑件的一部分之上的绝缘层，以及置于该绝缘层之上的半导体表面层。电子器件可以形成在该表面层之中，也可以形成于该衬底的未被该绝缘层覆盖的半导体体区域的暴露部分中。本发明还提供了制造这种半导体结构的方法，首先从衬底开始，该衬底包括置于连续绝缘层之上的半导体表面层，该绝缘层和表面层均置于半导体支撑件之上，通过转换衬底的至少一个选定区域来形成该衬底的暴露的半导体体区域。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，该衬底包含半导体体支撑件、置于该支撑件之上的连续绝缘层，以及置于该绝缘层之上的半导体表面层；转换该表面层和该绝缘层，以便暴露该半导体体支撑件的选定区域；以及在该支撑件的暴露区域中或该支撑件的暴露区域上或者在该表面层中或该表面层上同步形成电子器件。