[发明专利]导热硅氧烷组合物和电子器件有效
申请号: | 200980119289.6 | 申请日: | 2009-05-12 |
公开(公告)号: | CN102046728A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 堂前成正;加藤智子;中吉和己 | 申请(专利权)人: | 道康宁东丽株式会社 |
主分类号: | C08L83/04 | 分类号: | C08L83/04;C08K9/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张钦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的导热硅氧烷组合物包含:(A)有机基聚硅氧烷,其在25℃下具有至少500mPa·s的粘度;(B)传导性填料;(C)细硅石粉;(D)有机基聚硅氧烷,其具有可水解基团并在25℃下具有小于500mPa·s的粘度;和(E)硅烷化合物,其含有可水解基团。该组合物在低粘度下具有优异的可操作性和可加工性,并在施涂至表面上之后,当该表面处于垂直位置时,即使在苛刻温度条件下,该组合物也不遭受脱落。 | ||
搜索关键词: | 导热 硅氧烷 组合 电子器件 | ||
【主权项】:
一种导热硅氧烷组合物,其包含:(A)100质量份有机基聚硅氧烷,其在25℃下具有至少500mPa·s的粘度;(B)400‑3,500质量份导热填料;(C)0.1‑10质量份细硅石粉;(D)由下述通式表示的有机基聚硅氧烷,其在25℃下具有小于500mPa·s的粘度:R13SiO(R12SiO)m(R1R3SiO)n R12Si‑X‑SiR1(3‑a)(OR2)a其中,X表示氧原子或具有2‑10个碳原子的二价烃基;R1表示相同或不同的不含不饱和脂族键的一价烃基;R2表示选自烷基、烷氧基烷基、烯基或酰基的基团;R3由下述通式表示:‑X‑SiR1(3‑b)(OR2)b(其中,X、R1和R2如上所定义;且“b”是1‑3的整数);“a”是0‑3的整数;“m”是等于或大于0的整数,“n”是等于或大于0的整数;然而,当“a”等于0时,“n”是等于或大于1的整数,组分(D)以每100质量份组分(B)0.005‑10质量份的量使用;和(E)下述通式的硅烷化合物:R4(4‑c)Si(OR2)c其中,R4为选自一价烃基、含环氧基的有机基团、含甲基丙烯酰基的有机基团或含丙烯酰基的有机基团的基团;R2如上所定义;和“c”是1‑3的整数,组分(E)以每100质量份组分(B)0.005‑10质量份的量使用。
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