[发明专利]卤代聚硅烷和制备卤代聚硅烷的热方法有效

专利信息
申请号: 200980119335.2 申请日: 2009-05-27
公开(公告)号: CN102099104A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 克里斯蒂安·鲍赫;斯文·霍尔;赛耶德-加瓦德·莫赫森尼-阿拉;鲁门·德尔特舍维;格尔德·利波尔德;诺伯特·奥尼尔 申请(专利权)人: 斯帕恩特私人有限公司
主分类号: B01J12/00 分类号: B01J12/00;C01B33/107
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 刘继富;张文
地址: 卢森堡*** 国省代码: 卢森堡;LU
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摘要: 发明涉及一种卤代聚硅烷(以下称聚硅烷),所述聚硅烷为纯化合物或化合物的混合物,还涉及一种用于制备所述聚硅烷的热方法。所述聚硅烷用在其29Si NMR谱中的特征位移及其Raman谱中的典型的带的强度比来表征。所述聚硅烷(SinXy)具有高比例的支化链和环。制备所述卤代聚硅烷的方法的改进在于允许高生产量(工业产量)和制备特别易溶的聚硅烷。
搜索关键词: 卤代聚 硅烷 制备 方法
【主权项】:
一种卤代聚硅烷,所述卤代聚硅烷为纯化合物或每个都具有至少一个直接Si‑Si键的化合物的混合物,所述卤代聚硅烷的取代基由卤素组成,并且在所述卤代聚硅烷的组成中取代基∶硅的原子比为至少1∶1,其特征在于,所述聚硅烷由环和具有高比例的支化点的链组成,所述支化点相对于全部产物混合物的含量>1%,所述聚硅烷具有I100/I132<1的RAMAN分子振动谱,其中I100表示在100cm‑1处的Raman强度,I132表示在132cm‑1处的Raman强度,并且在29SiNMR谱中所述聚硅烷在+23ppm至‑13ppm、‑18ppm至‑33ppm和‑73ppm至‑93ppm的范围内具有其明显的产物信号。
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