[发明专利]直接结合方法中的氮-等离子体表面处理无效
| 申请号： | 200980119383.1 | 申请日： | 2009-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102047410A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 休伯特·莫里西奥;克里斯托夫·莫拉尔斯;弗朗索瓦·里乌托德;卡罗琳·文托萨;蒂里·切沃利奥;劳尔·利布拉尔索 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过如下将两块各自在其表面上具有硅或氧化硅薄膜的晶片结合：对至少一块晶片的薄膜进行表面处理，该表面处理形成厚度小于5nm的氧氮化硅表面薄膜。所述薄膜是通过由电感耦合等离子体源产生的基于氮的等离子体形成的。另外，在所述表面处理期间，所述等离子体与支撑所述晶片的基材支持器之间的电势差小于50V、有利地小于15V和优选为零。这使得可获得无缺陷的结合界面，而不管在接触步骤之后实施的任何热处理的温度如何。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 结合 方法 中的 等离子体 表面 处理 | ||
【主权项】：
将两块各自在其表面包含由氧化硅或硅构成的薄层的板直接结合的方法，其特征在于，在所述两块板各自的薄层之间的接触步骤之前，通过由电感耦合等离子体源产生的基于氮的等离子体和在所述等离子体与支撑所述板的基材支持器之间的小于50V的电势差的存在下，对至少一块板的薄层进行单一的表面处理步骤，该表面处理步骤形成具有小于5nm的厚度的氧氮化硅表面薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和代替能源委员会，未经原子能和代替能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980119383.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
