[发明专利]切割方法有效
| 申请号： | 200980119541.3 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102047393A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 齐藤岳史;高津知道 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J11/06;C09J133/06;C09J175/16;C09J183/10;H01L21/52;C09J7/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明的切割方法中，预先减小紫外线固化型粘合剂的粘合力，另一方面，提高紫外线固化型粘合剂的内聚力，由此，在切割后拾取带有模片贴装膜的芯片时，能够减少模片贴装膜与粘合片的紫外线固化型粘合剂层在切割线处发生的混杂现象，并能够抑制拾取不良。一种带有模片贴装膜的半导体晶圆的切割方法，包括：第一贴合工序，将模片贴装膜贴合于粘合片上，其中，粘合片是通过在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂所得到的粘合片；第二贴合工序，将半导体晶圆贴合在所述模片贴装膜的与被贴合在所述粘合片上的面相反一侧的面上；紫外线照射工序，对所述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；以及切割工序，对贴合在所述粘合片上的所述模片贴装膜和所述半导体晶圆进行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种带有模片贴装膜的半导体晶圆的切割方法，其特征在于，包括：第一贴合工序，将模片贴装膜贴合于粘合片上，其中，粘合片是通过在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂所得到的粘合片；第二贴合工序，将半导体晶圆贴合在所述模片贴装膜的与被贴合在所述粘合片上的面相反一侧的面上；紫外线照射工序，对所述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；以及切割工序，对贴合在所述粘合片上的所述模片贴装膜和所述半导体晶圆进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
