[发明专利]α-杂取代烷基卤代氢硅烷的制造方法及其应用

摘要

本发明涉及高效地获得α-杂取代烷基卤代氢硅烷的制造方法及其应用。该方法通过使以通式(2)：SiR2c(CR13-bYb)aX4-a-c(2)表示的卤代硅烷化合物(B)和氢硅烷化合物(C)反应来制造以通式(1)：H-SiR2c(CR13-bYb)aX3-a-c(1)表示的卤代氢硅烷化合物(A)；式(1)中，R1为氢原子或者取代或非取代的烃基，R2为取代或非取代的烃基，X为卤素原子，Y为杂取代基，a为1或2，b为1、2或3，c为1或0；式(2)中，R1、R2、X、Y、a、b、c同上。还涉及用卤代氢硅烷(A)来制造含反应性硅基团的聚合物的方法。

主权项

以通式(1)：H‑SiR2c(CR13‑bYb)aX3‑a‑c  (1)表示的卤代氢硅烷化合物(A)的制造方法，其特征在于，使以通式(2)：SiR2c(CR13‑bYb)aX4‑a‑c    (2)表示的卤代硅烷化合物(B)和氢硅烷化合物(C)反应；式(1)中，R1分别独立地为氢原子或者取代或非取代的碳原子数1～20的烃基；R2分别独立地为取代或非取代的碳原子数1～20的烃基；X分别独立地为卤素原子；Y为选自卤素原子、‑OR3、‑NR4R5、‑N＝R6、‑SR7、碳原子数1～20的全氟烷基、氰基的基团，其中的R3、R4、R5、R7分别为氢原子或者碳原子数1～20的取代或非取代的烃基、R6为碳原子数1～20的2价的取代或非取代的烃基；a为1或2，b为1、2或3，c为1或0，a+c不超过2；式(2)中，R1、R2、X、Y、a、b、c同上。