[发明专利]采用选择性制造的碳纳米管可逆电阻切换元件的存储器单元及其形成方法有效
| 申请号： | 200980120069.5 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102047421A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 阿普里尔·D·施里克 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/102;H01L27/28;H01L51/00;G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些方面，提供了制造存储器单元的方法，包括：在衬底上制造操纵元件；以及通过在所述衬底上沉积硅-锗层来制造碳纳米管(“CNT”)籽晶层、构图并蚀刻CNT籽晶层、以及在CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料，来制造与所述操纵元件耦接的可逆电阻切换元件。提供了许多其他方面。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 选择性 制造 纳米 可逆 电阻 切换 元件 存储器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种制造存储器单元的方法，该方法包括：在衬底上制造操纵元件；以及通过以下步骤制造与所述操纵元件耦接的可逆电阻切换元件：通过在所述衬底上沉积硅‑锗层来制造碳纳米管(“CNT”)籽晶层；构图并蚀刻CNT籽晶层；以及在CNT籽晶层上选择性地制造CNT材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克3D有限责任公司，未经桑迪士克3D有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980120069.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防改制的弹夹供弹射钉器
- 下一篇：蒸气室-热电模块组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
