[发明专利]通过原子层沉积形成含钌的膜的方法无效
| 申请号： | 200980120100.5 | 申请日： | 2009-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102084026A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | R·坎乔里亚;R·奥德德拉;J·安西斯;N·博格 | 申请（专利权）人： | 西格玛-奥吉奇公司 |
| 主分类号： | C23C16/16 | 分类号： | C23C16/16;C23C16/455;C07F15/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了通过原子层沉积形成含钌的膜的方法。该方法包含将至少一种前体运送到基材，该至少一种前体对应于式I：(L)Ru(CO)3其中：L选自线型或支链的C2-C6烯基以及线型或支链的C1-6烷基；并且其中L任选地被一种或多种取代基取代，所述取代基独立地选自C2-C6烯基，C1-6烷基，烷氧基和NR1R2；其中R1和R2独立地是烷基或氢。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 原子 沉积 形成 方法 | ||
【主权项】：
通过原子层沉积形成含钌的膜的方法，该方法包含将至少一种前体运送到基材，至少一种前体在结构上对应于式I：(L)Ru(CO)3(式I)其中：L选自线型或支链的C2‑C6烯基以及线型或支链的C1‑6烷基；并且其中L任选地被一种或多种取代基取代，所述取代基独立地选自C2‑C6烯基、C1‑6烷基、烷氧基和NR1R2；其中R1和R2独立地是烷基或氢。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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