[发明专利]含硅薄膜的低温沉积有效
| 申请号： | 200980120277.5 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102047386A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨柳;雷新建;韩冰;萧满超;E·J·卡瓦基;长谷部一秀;松永正信;米泽雅人;程寒松 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳掺杂的氮化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜的方法。用于沉积的含硅前体是一氯甲硅烷和一氯烷基硅烷。该方法优选通过使用等离子体增强的原子层沉积、等离子体增强的化学气相沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积进行。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 低温 沉积 | ||
【主权项】：
一种在处理室中在基底上沉积氮化硅或碳掺杂的氮化硅的方法，包括：a.将基底与含氮源接触，以在基底上吸收含氮源的至少一部分；b.清洗未吸收的含氮源；c.将基底与含硅前体接触，以与吸收的含氮源的部分反应；和d.清洗未反应的含硅源；其中，所述方法是等离子体增强的方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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