[发明专利]半导体材料及其制备方法和用途有效
申请号: | 200980120293.4 | 申请日: | 2009-05-29 |
公开(公告)号: | CN102066373A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | A·法凯蒂;陈志华;F·德兹;M·卡斯特勒;T·J·马克斯;颜河;郑焱 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司 |
主分类号: | C07D471/06 | 分类号: | C07D471/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 林柏楠;刘金辉 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明公开了从二聚苝化合物制备的新半导体材料。这些化合物能显示高的n型载体迁移率和/或良好的电流调节特性。另外,本发明的化合物具有特定的加工优点,例如溶液加工性和/或在环境条件下的良好稳定性。 | ||
搜索关键词: | 半导体材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
1.具有式I的化合物:Q-L-Q’I其中Q和Q′独立地选自:
L是连接基,其含有1-6个任选被取代的C6-22芳基或5-22元的杂芳基,它们每个是相同或不同的;其中:π-1是苝结构部分,其任选地被1-8个Ra基团取代;Z在每次出现时是选自a)O、b)S、c)NRb、d)C(O)和e)CRcRd;Ra在每次出现时是:a)卤素,b)-CN,c)-NO2,d)-ORf,e)-SRf,f)-NRgRh,g)-N(O)RgRh,h)-S(O)mRg,i)-S(O)mORg,j)-S(O)m NRgRh,k)-C(O)Rg,l)-C(O)ORf,m)-C(O)NRgRh,n)-C(S)NRgRh,o)-SiH3,p)-SiH(C1-20烷基)2,q)-SiH2(C1-20烷基),r)-Si(C1-20烷基)3,s)C1-20烷基,t)C2-20链烯基,u)C2-20炔基,v)C1-20卤代烷基,w)-Y-C3-14环烷基,x)-Y-C6-14芳基,y)-Y-3-14元杂环烷基,或z)-Y-5-14元杂芳基,其中每个C1-20烷基、C2-20链烯基、C2-20炔基、C3-14环烷基、C6-14芳基、3-14元杂环烷基和5-14元杂芳基任选地被1-4个Ri基团取代;Rb在每次出现时是:a)H,b)-(CH2CH2O)qH,c)-(CH2CH2O)q-CH3,d)-C(O)ORf,e)-C(O)Rg,f)-C(O)NRgRh,g)-C(S)ORf,h)-C(S)Rg,i)-C(S)NRgRh,j)-S(O)mRg,k)-S(O)mORg,l)C1-20烷基,m)C2-20链烯基,n)C2-20炔基,o)C1-20烷氧基,p)-Y-C3-14环烷基,q)-Y-C6-14芳基,r)-Y-3-14元杂环烷基,或s)-Y-5-14元杂芳基,其中每个C1-20烷基、C2-20链烯基、C2-20炔基、C1-20烷氧基、C3-14环烷基、C6-14芳基、3-14元杂环烷基和5-14元杂芳基任选地被1-4个Ri基团取代;Rc和Rd在每次出现时独立地是:a)H,b)卤素,c)-(CH2CH2O)qH,d)-(CH2CH2O)q-CH3,e)C1-20烷氧基,f)C1-20烷基,g)C2-20链烯基,h)C2-20炔基,i)-Y-C3-14环烷基,j)-Y-C6-14芳基,k)a-Y-3-14元杂环烷基,或l)-Y-5-14元杂芳基,其中每个C1-20烷基、C2-20链烯基、C2-20炔基、C3-14环烷基、C6-14芳基、3-14元杂环烷基和5-14元杂芳基任选地被1-4个Ri基团取代;Rf在每次出现时是:a)H,b)-C(O)Rg,c)-C(O)NRgRh,d)-C(S)Rg,e)-C(S)NRgRh,f)C1-20烷基,g)C2-20链烯基,h)C2-20炔基,i)C3-14环烷基,j)C6-14芳基,k)3-14元杂环烷基,或l)5-14元杂芳基,其中每个C1-20烷基、C2-20链烯基、C2-20炔基、C3-14环烷基、C6-14芳基、3-14元杂环烷基和5-14元杂芳基任选地被1-4个Ri基团取代;Rg和Rh在每次出现时独立地是:a)H,b)-OH,c)-SH,d)-S(O)2OH,e)-C(O)OH,f)-C(O)NH2,g)-C(S)NH2,h)-O C1-10烷基,i)-C(O)-C1-20烷基,j)-C(O)-OC1-20烷基,k)-C(S)N(C1-20烷基)2,l)-C(S)NH-C1-20烷基,m)-C(O)NH-C1-20烷基,n)-C(O)N(C1-20烷基)2,o)-S(O)m-C1-20烷基,p)-S(O)m-OC1-20烷基,q)C1-20烷基,r)C2-20链烯基,s)C2-20炔基,t)C1-20烷氧基,u)C3-14环烷基,v)C6-14芳基,w)3-14元杂环烷基,或x)5-14元杂芳基,其中每个C1-20烷基、C2-20链烯基、C2-20炔基、C3-14环烷基、C6-14芳基、3-14元杂环烷基和5-14元杂芳基任选地被1-4个Ri基团取代;Ri在每次出现时是:a)卤素,b)-CN,c)-NO2,d)氧代,e)-OH,f)-NH2,g)-NH(C1-20烷基),h)-N(C1-20烷基)2,i)-N(C1-20烷基)-C6-14芳基,j)-N(C6-14芳基)2,k)-S(O)m-H,l)-S(O)m-C1-20烷基,m)-S(O)2OH,n)-S(O)m-OC1-20烷基,o)-S(O)m-OC6-14芳基,p)-CHO,q)-C(O)-C1-20烷基,r)-C(O)-C6-14芳基,s)-C(O)OH,t)-C(O)-OC1-20烷基,u)-C(O)-OC6-14芳基,v)-C(O)NH2,w)-C(O)NH-C1-20烷基,x)-C(O)N(C1-20烷基)2,y)-C(O)NH-C6-14芳基,z)-C(O)N(C1-20烷基)-C6-14芳基,aa)-C(O)N(C6-14芳基)2,ab)-C(S)NH2,ac)-C(S)NH-C1-20烷基,ad)-C(S)N(C1-20烷基)2,ae)-C(S)N(C6-14芳基)2,af)-C(S)N(C1-20烷基)-C6-14芳基,ag)-C(S)NH-C6-14芳基,ah)-S(O)m-NH2,ai)-S(O)m-NH(C1-20烷基),aj)-S(O)m-N(C1-20烷基)2,ak)-S(O)mNH(C6-14芳基),al)-S(O)mN(C1-20烷基)-C6-14芳基,am)-S(O)mN(C6-14芳基)2,an)-SiH3,ao)-SiH(C1-20烷基)2,ap)-SiH2(C1-20烷基),ar)-Si(C1-20烷基)3,as)C1-20烷基,at)C2-20链烯基,au)C2-20炔基,av)C1-20烷氧基,aw)C1-20烷硫基,ax)C1-20卤代烷基,ay)C3-14环烷基,az)C6-14芳基,ba)3-14元杂环烷基,或bb)5-14元杂芳基;Y在每次出现时是:a)二价C1-20烷基,b)二价C1-20卤代烷基,或c)共价键;m在每次出现时是0、1或2;和q在每次出现时是1-20范围内的整数。
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