[发明专利]半导体元件的洗涤方法

摘要

在半导体器件的布线形成工序中，能够将利用反应性气体进行干蚀刻及利用等离子气体进行灰化时产生的抗蚀剂残渣物除去，而不会腐蚀层间绝缘材料、布线材料等半导体器件的部件，并且，可抑制处理后放置一定期间后发生的后腐蚀(after-corrosion)的发生。通过依次进行(1)利用含有氢氟酸的水溶液进行的洗涤工序、(2)利用过氧化氢与氨的混合溶液进行的洗涤工序以及(3)利用双氧水进行的洗涤工序，能够除去以铝(Al)为主要成分的金属布线侧壁的抗蚀剂残渣物，并且能抑制后腐蚀的发生。

主权项

一种半导体的洗涤方法，该方法是在制造具有以铝(Al)为主要成分的金属的半导体元件时，将抗蚀剂形成后进行干蚀刻、灰化后残留在该金属布线的侧面和上表面的半导体上的抗蚀剂残渣物洗涤除去的方法，其依次进行下述(1)～(3)的洗涤处理：(1)利用含有氢氟酸的水溶液进行的洗涤处理；(2)利用氨与过氧化氢的混合溶液进行的洗涤处理；(3)使用双氧水的洗涤处理。