[发明专利]气体分布喷头裙部无效
申请号: | 200980120558.0 | 申请日: | 2009-05-07 |
公开(公告)号: | CN102047388A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 汤姆·K·崔;布赖恩·赛-尤安·希尔;袁正 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;王金宝 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明大体上包含一种在处理腔室中从气体分布喷头延伸而出的延伸部或裙部。当处理基板时,气体分布喷头可以受到电偏压。在一些情况下,受到电偏压的喷头会激发处理气体使其成为等离子体态。处理腔室的腔壁和基座可相对于喷头而言是接地的。因此,与电偏压的喷头相比,基板的边缘可具有较大的接地接触表面积。由于靠近边缘处的接地增加,沉积在基板上的材料可能与基板中间处的材料有不同性质。通过使喷头边缘向下延伸而更靠近基板,可获得具有实质均匀性质的材料。 | ||
搜索关键词: | 气体 分布 喷头 | ||
【主权项】:
一种设备,其包括:处理腔室主体;气体分布喷头,设置在所述处理腔室主体中,所述气体分布喷头耦接至第一功率源并且具有大致矩形形状;辅助电极,设置在所述处理腔室主体中,并且耦接至所述第一功率源或第二功率源;以及基座,设置在所述处理腔室主体中,并且与所述辅助电极和所述气体分布喷头间隔开来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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