[发明专利]设计纳米结构光电子器件的主体以改善性能无效

专利信息
申请号: 200980120567.X 申请日: 2009-04-03
公开(公告)号: CN102057491A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: M.R.布莱克;B.A.布蔡恩 申请(专利权)人: 班德加普工程有限公司
主分类号: H01L31/00 分类号: H01L31/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李娜;蒋骏
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供了一种纳米结构光电子器件,其包括纳米结构材料和与纳米结构材料混合的主体材料。该主体材料可以具有比纳米结构材料高的折射率。可以将主体材料折射率选择为使器件的有效活性面积最大化。在替换实施例中,主体材料包括吸收光并以不同的能量重发射光的散射中心或吸收/发光中心,或者同时包括这两者。
搜索关键词: 设计 纳米 结构 光电子 器件 主体 改善 性能
【主权项】:
一种纳米结构光电子器件,包括纳米结构材料和与纳米结构材料混合的主体材料,其中,所述器件具有有效活性面积,其中,所述主体材料具有使作为主体材料的折射率的函数的器件的有效活性面积近似最大化的折射率。
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