[发明专利]高效率光伏电池和制造方法无效
申请号: | 200980120650.7 | 申请日: | 2009-06-03 |
公开(公告)号: | CN102057492A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 霍华德·W·H·李 | 申请(专利权)人: | 思阳公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于形成薄膜光伏装置的方法,包括,提供包括表面区域的透明基板,以及形成覆盖表面区域的第一电极层。另外,该方法包括,至少通过溅射包括铟铜材料的靶来形成包括从约1.35∶1到约1.60∶1范围的Cu∶In原子比的铜铟材料。该方法进一步包括,使铜铟材料在包含含硫物质的环境中经受热处理工艺。此外,该方法包括,至少由铜铟材料的热处理工艺来形成铜铟二硫化物材料。此外,该方法包括形成覆盖铜铟二硫化物材料的窗口层。 | ||
搜索关键词: | 高效率 电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成薄膜光伏装置的方法,所述方法包括:提供包括表面区域的透明基板;形成覆盖所述表面区域的第一电极层;形成覆盖所述第一电极层的铜层;形成覆盖所述铜层的铟层以形成多层结构;至少使所述多层结构在包含含硫物质的环境中经受热处理工艺;至少由所述多层结构的处理工艺形成铜铟二硫化物材料,所述铜铟二硫化物材料包括从约1.35∶1到约1.60∶1范围的铜与铟原子比;以及形成覆盖所述铜铟二硫化物材料的窗口层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的