[发明专利]功率场效应晶体管有效
| 申请号： | 200980120875.2 | 申请日： | 2009-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102057490A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黎建;欧阳金 | 申请（专利权）人： | 威世硅尼克斯 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/808 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种超短沟道混合功率场效应晶体管(FET)器件，其使电流从体硅流出而没有NPN寄生。该器件包括JFET部件、与JFET部件相邻布置的第一累积MOSFET、和在沟槽底端与JFET部件相邻布置的第二累积MOSFET，或者具有连接了源极的隔离栅极的MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种混合功率场效应晶体管器件，包括：JFET部件；与所述JFET部件相邻布置的第一累积MOSFET；在沟槽底端与所述JFET部件相邻布置的第二累积MOSFET；并且其中所述JFET部件、所述第一累积MOSFET和所述第二累积MOSFET被构造来引发电流流经所述器件的体硅区。
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