[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200980121284.7 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102057761A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 平山昌树;大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/265;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种进一步提高对基板处理的均匀性的等离子体处理装置。具备：容纳应进行等离子体处理的基板(G)的金属制的处理容器(4)；和向处理容器(4)内供给激发等离子体所需的电磁波的电磁波源(85)，在处理容器(4)的盖体(3)下表面设置有多个介电体(25)，该多个介电体用于将由电磁波源(85)供给的电磁波透过到处理容器(85)的内部，且该介电体的一部分露出到处理容器(4)的内部，在介电体(25)的下表面设置有金属电极(27)，对于金属电极(27)和在盖体(3)下表面之间露出的介电体(25)的部分，在从处理容器(4)的内部看时，实质呈现多边形的轮郭，多个介电体(25)以使多边形的轮郭的顶角彼此相邻的方式进行配置，在处理容器(4)的内部露出的盖体(3)下表面与金属电极(27)下表面设置有用于传播电磁波的表面波传播部。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，具备：金属制的处理容器，其容纳应进行等离子体处理的基板；和电磁波源，其向上述处理容器内供给激发等离子体所需的电磁波，在上述处理容器的盖体下表面设置有多个介电体，该多个介电体用于使上述电磁波源供给的电磁波穿透到上述处理容器的内部，且该介电体的一部分在上述处理容器的内部露出，在上述介电体的下表面设置有金属电极，上述介电体在上述金属电极与上述盖体下表面之间露出的部分的不同的两侧，设置有用于传播电磁波的表面波传播部分，上述两侧的表面波传播部分具有彼此实质上相似的形状或实质上对称的形状。
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