[发明专利]搭载半导体元件的基板有效
| 申请号： | 200980121341.1 | 申请日： | 2009-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102057484A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 杉野光生;原英贵;和布浦徹 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 菅兴成;吴小瑛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 搭载半导体元件的基板(10)，具有：芯基板(1)、搭载于芯基板(1)的一个面的半导体元件(2)、粘接芯基板(1)和半导体元件(2)的粘接膜(3)、嵌入半导体元件(2)的第一层(4)、设置于芯基板(1)的第一层(4)相反侧的与第一层(4)的材料及组成比率相同的第二层(5)、设置于第一层(4)和第二层(5)的至少一层的表层(6)，并且粘接膜(3)25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层(6)在玻璃化转变点Tga℃以下按照JIS C 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。 | ||
| 搜索关键词： | 搭载 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种搭载半导体元件的基板，其特征在于，具有：基板、搭载于上述基板的一个面上的半导体元件、粘接上述基板和上述半导体元件的粘接层、嵌入上述半导体元件的第一层、设置于上述基板的与上述第一层相反一侧的第二层、以及设置于上述第一层上和上述第二层上的至少一层的表层，并且，上述粘接层在25℃时的储能模量为5～1000MPa，上述表层在玻璃化转变点Tga℃以下按照JIS C 6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS C 6481进行检测的上述表层的玻璃化转变点Tga℃。
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