[发明专利]氮化合物半导体基板的制造方法和氮化合物半导体基板、单晶SiC基板的制造方法和单晶SiC基板有效

专利信息
申请号: 200980121625.0 申请日: 2009-06-09
公开(公告)号: CN102057463A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 川村启介;泉胜俊;浅村英俊;横山敬志 申请(专利权)人: 爱沃特株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/76;H01L27/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 朱丹
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了提供可以得到结晶性良好的氮化合物半导体层的氮化合物半导体基板的制造方法,进行如下工序:准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)的工序;将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时,使与上述埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留的工序;以及,再使氮化合物半导体层(15)在表面的单晶SiC上外延生长的工序。为了提供可以得到结晶性良好的SiC层的单晶SiC基板的制造方法,进行如下操作:准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1),在将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时,在使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时,使与埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留。
搜索关键词: 氮化 半导体 制造 方法 sic 基板
【主权项】:
一种氮化合物半导体基板的制造方法,其特征在于,进行如下的工序:准备具有规定厚度的表面Si层和埋入绝缘层的Si基板的工序;将所述Si基板在碳系气体气氛中加热使所述表面Si层变成单晶SiC层时,使与所述埋入绝缘层之间界面附近的Si层作为残存Si层残留的工序;以及再使氮化合物半导体在表面的单晶SiC上外延生长的工序。
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