[发明专利]太阳能电池单体及其制造方法有效
申请号: | 200980121820.3 | 申请日: | 2009-05-29 |
公开(公告)号: | CN102257642A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | D·比罗;F·克莱芒;O·舒尔茨-维特曼 | 申请(专利权)人: | 弗朗霍夫应用科学研究促进协会 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/068 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 吴鹏;马江立 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池单体,其包括具有正面和基本与正面平行的背面的半导体基板、正面金属化结构和背面金属化结构以及至少三个掺杂区域,该掺杂区域具有至少两种不同的导电型,第一导电型的、基本在整个正面上延伸的第一掺杂区域布置在半导体基板的正面上,与第一导电型相反的第二导电型的、部分在背面上延伸的第二掺杂区域布置在半导体基板的背面上,第一导电型的、部分在背面上延伸的第三掺杂区域布置在半导体基板的背面上,其中正面金属化结构与第一掺杂区域导电地连接,背面金属化结构与第二掺杂区域导电地连接,太阳能电池单体具有导电的连接装置,该连接装置导电地连接第三掺杂区域与正面金属化结构和/或第一掺杂区域。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 单体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池单体,包括:半导体基板,该半导体基板具有正面和基本与所述正面平行的背面;正面金属化结构(2)和背面金属化结构(6);以及至少三个具有至少两种不同的导电型的掺杂区域:‑第一导电型的第一掺杂区域布置在所述半导体基板的所述正面上,该第一掺杂区域基本在整个所述正面上延伸;‑第二导电型的第二掺杂区域布置在所述半导体基板的所述背面上,该第二导电型与所述第一导电型相反,该第二掺杂区域部分地在所述背面上延伸,以及‑第一导电型的第三掺杂区域布置在所述背面上,该第三掺杂区域部分地在所述背面上延伸,其中所述正面金属化结构(2)与所述第一掺杂区域导电地连接,所述背面金属化结构(6)与所述第二掺杂区域导电地连接,以及所述太阳能电池单体具有导电的连接装置,所述连接装置使所述第三掺杂区域与所述正面金属化结构(2)和/或所述第一掺杂区域导电地连接,其特征在于,所述正面金属化结构(2)包括至少一个大致平行于所述正面的正面接触面,所述背面金属化结构(6)包括至少一个大致平行于所述背面的背面接触面,所述正面接触面和所述背面接触面分别为至少0.5mm长和至少0.5mm宽,其中如此设置所述正面接触面和背面接触面,使得所述正面接触面和背面接触面被共同的、垂直于所述背面的虚拟平面穿过,以及如此设计所述太阳能电池单体,使得在所述太阳能电池单体的所述背面上,沿着所述太阳能电池单体的所述背面与所述虚拟平面之间的一虚拟的背面交线,不存在与所述第三掺杂区域的电连接和不存在与所述第一掺杂区域的电连接,从而使沿着所述背面交线在所述太阳能电池单体的所述背面上被引导的导电的电池单体连接器(11)仅与所述背面金属化结构(6)和/或所述第二掺杂区域导电地连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗朗霍夫应用科学研究促进协会,未经弗朗霍夫应用科学研究促进协会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980121820.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的